![shallow trench isolation半導体](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforredu...
淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究
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由黃國峰著作·2011—淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究.StudyofNano-scaleShallowTrenchIsolationPlanarizationProcessforSemiconductorIntegratedCircuits ...
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